MJD31CT4 دیتاشیت

MJD31CT4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD31CT4
حجم فایل 45.438 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت MJD31CT4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MJD31CT4 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: STMicroelectronics MJD31CT4
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@3A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@375mA,3A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Part id: 239980

محصولات مشابه